簡要描述:WD4000晶圓細磨硅片粗糙度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它采用白光干涉測量技術(shù)對 Wafer 表面進行非接觸式掃描同時建立表面 3D 層析圖像,顯示 2D 剖面圖和 3D 立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān) 3D 參數(shù)。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
品牌 | CHOTEST/中圖儀器 |
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中圖儀器WD4000晶圓細磨硅片粗糙度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它采用白光干涉測量技術(shù)對 Wafer 表面進行非接觸式掃描同時建立表面 3D 層析圖像,顯示 2D 剖面圖和 3D 立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān) 3D 參數(shù)。
1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù);結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。
1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量
集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。
2、高精度厚度測量技術(shù)
(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進行高效掃描。
(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規(guī)格可支持至12寸。
(3)采用Mapping跟隨技術(shù),可編程包含多點、線、面的自動測量。
3、高精度三維形貌測量技術(shù)
(1)采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;
(2)隔振設(shè)計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,獲得高測量重復(fù)性。
(3)機器視覺技術(shù)檢測圖像Mark點,虛擬夾具擺正樣品,可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量。
4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺
(1)大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),移動速度500mm/s。
(2)高精度花崗巖基座和橫梁,整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠。
(3)關(guān)鍵運動機構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引、AC伺服直驅(qū)電機驅(qū)動,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),保證設(shè)備的高精度、高效率。
5、操作簡單、輕松無憂
(1)集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作。
(2)具備雙重防撞設(shè)計,避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。
(3)具備電動物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡單。
WD4000晶圓細磨硅片粗糙度測量系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等??蓪崿F(xiàn)砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測。
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數(shù)據(jù)計算重復(fù)性為0.046987nm,測量穩(wěn)定性良好。
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號 | WD4000系列 |
測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等 |
可測材料 | 砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等 |
厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點 |
測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復(fù)性 | 0.005nm |
測量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
膜厚測量系統(tǒng) | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。
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