簡(jiǎn)要描述:WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷??杉嫒莶煌馁|(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
品牌 | CHOTEST/中圖儀器 |
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WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷??杉嫒莶煌馁|(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。
1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù),同時(shí)生成Mapping圖;
2、采用白光干涉測(cè)量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù);
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過(guò)數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度,實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能;
4、紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計(jì)算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測(cè)量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測(cè)量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅等。
1、厚度測(cè)量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、顯微形貌測(cè)量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過(guò)濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測(cè)量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等;粗糙度分析包括國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù);結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。
WD4000可實(shí)現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測(cè)。廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)??蓽y(cè)各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)300余種2D、3D參數(shù)作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。
無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量
細(xì)磨片25次測(cè)量數(shù)據(jù)Sa曲線圖
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號(hào) | WD4000系列 |
測(cè)量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等 |
可測(cè)材料 | 砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等 |
厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng) | |
可測(cè)材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測(cè)量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn) |
測(cè)量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng) | |
測(cè)量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè)) |
可測(cè)樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復(fù)性 | 0.005nm |
測(cè)量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
膜厚測(cè)量系統(tǒng) | |
測(cè)量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測(cè)厚度 | 0.4um |
紅外干涉測(cè)量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測(cè)量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圓載臺(tái) | 防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái) |
X/Y/Z工作臺(tái)行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請(qǐng)注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請(qǐng)諒解。
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