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WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚?;诎坠飧缮鎴D的光譜分析儀,通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度,實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能。

  • 更新時(shí)間:2024-05-13
  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量:890

詳細(xì)介紹

品牌CHOTEST/中圖儀器

WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù),同時(shí)生成Mapping圖;

2、采用白光干涉測(cè)量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù);

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度,實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能;

4、紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計(jì)算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測(cè)量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測(cè)量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅等。

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測(cè)量功能

1、厚度測(cè)量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、顯微形貌測(cè)量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。

4、WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測(cè)量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等;粗糙度分析包括國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù);結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。


部分技術(shù)規(guī)格

品牌:CHOTEST中圖儀器

型號(hào):WD4000系列


厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng)

可測(cè)材料:砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等

測(cè)量范圍:150μm~2000μm

掃描方式:Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)

測(cè)量參數(shù):厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度


三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)

測(cè)量原理:白光干涉

干涉物鏡:10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè))

可測(cè)樣品反射率:0.05%~100%

粗糙度RMS重復(fù)性:0.005nm

測(cè)量參數(shù):顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù)


膜厚測(cè)量系統(tǒng)

測(cè)量范圍:90um(n= 1.5)

景深:1200um

最小可測(cè)厚度:0.4um


紅外干涉測(cè)量系統(tǒng)

光源:SLED

測(cè)量范圍:37-1850um


晶圓尺寸:4"、6"、8"、12"

晶圓載臺(tái):防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái)

X/Y/Z工作臺(tái)行程:400mm/400mm/75mm

如有疑問或需要更多詳細(xì)信息,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢。


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應(yīng)用場(chǎng)景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量

無圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量.jpg

通過非接觸測(cè)量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。


2、無圖晶圓粗糙度測(cè)量

無圖晶圓粗糙度測(cè)量.jpg

Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,測(cè)量穩(wěn)定性良好。

懇請(qǐng)注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請(qǐng)諒解。

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