表面微觀特征是材料、化學、精密制造等領(lǐng)域的主要研究內(nèi)容，準確地評價表面微觀形貌、表面特征等，對于相關(guān)材料的評定、性能的分析和加工工藝的改善都具有重要意義。在半導體、光伏、LED、MEMS器件、材料等領(lǐng)域，表面臺階高度、膜厚的準確測量具有十分重要的價值，尤其是臺階高度是一個重要的參數(shù)，對各種薄膜臺階參數(shù)的精確、快速測定和控制，是保證材料質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率的重要手段。

臺階儀用于樣品表面從微米到納米尺度的輪廓測量，可以進行臺階高度、膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測量。NS200探針式表面輪廓儀(臺階儀)采用接觸式表面形貌測量，是傳統(tǒng)表面形貌測量的一個新發(fā)展，接觸力最小可達1mg，對測量表面反光特性、材料種類、材料硬度都沒有特別要求，樣品適應(yīng)面廣，數(shù)據(jù)復現(xiàn)性高、測量穩(wěn)定、便捷、高效，是微觀表面測量中使用廣泛的微納樣品測量手段。

產(chǎn)品功能

1、臺階高度

能夠測量幾個納米到330μm的臺階高度。這使其可以準確測量在蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料。

2、紋理：粗糙度和波紋度

測量2D紋理，量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件過濾功能將測量值分離為粗糙度和波紋度的部分，并計算諸如均方根（RMS）粗糙度等20余項粗糙度參數(shù)。

3、形狀：翹曲和形狀

可以測量表面的2D形狀或翹曲。這包括對晶圓翹曲的測量，例如在半導體或化合物半導體器件生產(chǎn)過程中，多層沉積層結(jié)構(gòu)中層間不匹配是導致這類翹曲產(chǎn)生的原因。還可以量化包括透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。

4、應(yīng)力：薄膜應(yīng)力

能夠測量在生產(chǎn)中包含多個工藝層的半導體或化合物半導體器件所產(chǎn)生的應(yīng)力。使用應(yīng)力卡盤樣品支撐在中性位置精確測量樣品翹曲。然后通過應(yīng)用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來計算應(yīng)力。

5、接觸缺陷復檢：缺陷表面形貌

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)測量：探針式表面輪廓測量技術(shù)

樣品觀測：光學導航攝像頭：500萬像素高分辨率 彩色攝像機，F(xiàn)oV，1700*1400μm

平臺移動范圍X/Y：電動X/Y（100mm*100mm）（可手動校平）

最大樣品厚度：50mm

載物臺最大晶圓尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）

臺階高度重復性：＜1nm（測量1μm臺階高度，1δ）

垂直分辨力：分辨力＜0.25 ?（量程為13um時）

儀器尺寸: 640*626*534(mm)

儀器總重量：<50kg

儀器電源：100-240 VAC，50/60 Hz

使用環(huán)境：相對濕度：濕度 （無凝結(jié)）30-40% RH

NS200探針式表面輪廓儀(臺階儀)單拱龍門式設(shè)計，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，大大降低了周圍環(huán)境中聲音和震動噪音對測量信號的影響，提高了測量精度。廣泛應(yīng)用于大學、研究實驗室和研究所、半導體和化合物半導體、高亮度LED、太陽能、MEMS微機電、觸摸屏、汽車、醫(yī)療設(shè)備。